8-duim TaC-bedekte lugvlotterbak vir SiC-epitaksie

Die 8-duim TaC-bedekte lugvlotterbak is 'n kritieke komponent in multi-wafer SiC-epitaksieprosesse, ontwerp om silikonkarbiedwafers te ondersteun en te vervoer tydens epitaksiale groei. In die veeleisende omgewing van SiC-epitaksie-oonde moet bakke uiters hoë temperature, korrosiewe gasse en lang verwerkingsiklusse weerstaan. Deur CVD TaC-bedekking met hoë-suiwerheid grafietsubstrate te kombineer, verseker hierdie lugvlotterbak uitstekende duursaamheid, termiese stabiliteit en prosesuniformiteit – wat dit 'n noodsaaklike toebehore in hoë-volume SiC-wafervervaardiging maak.

Ⅰ. Materiaalsamestelling en fisiese eienskappe

Die TaC-bedekte lugvlotterbak integreer gevorderde materiale om beide meganiese robuustheid en chemiese weerstand te bereik wat in halfgeleier-epitaksie vereis word:

●Substraatmateriaal: Hoë-suiwerheid grafiet-susseptor (ultra-lae onsuiwerheidsinhoud, hoë termiese geleidingsvermoë)

● Oppervlakbeskermingslaag: CVD TaC-laag (Tantalumkarbied) aangewend via chemiese dampafsetting vir uiterste slytasie- en korrosiebestandheid

Belangrike Fisiese Eienskappe:

TaC-bedekkingssuiwerheid: ≥ 99.99%

Hardheid (HK): ~2000 HK

Smeltpunt: ~3,880 XNUMX °C

Termiese geleidingsvermoë: Uitstekend, wat eenvormige waferverhitting verseker

Weerstand teen halogeenkorrosie: Uitstaande stabiliteit in chloor- en fluoorryke epitaksiale omgewings

Basisgrafietdigtheid: ~1.85–1.95 g/cm³

Werktemperatuur: Tot 2,000 XNUMX °C in beheerde omgewings

Hierdie eienskappe verseker dat die 8-duim TaC-bedekte skinkbord lang epitaksiale lopies kan weerstaan ​​terwyl dit deeltjiegenerering en waferkontaminasie tot die minimum beperk.

Ⅱ. Sleutelfunksies in SiC-epitaksie

Ons 8-duim TaC-bedekte bak speel 'n belangrike rol in die halfgeleier SiC-epitaksieproses deur verskeie kritieke funksies uit te voer:

● Eenvormige temperatuurverspreiding: Die hoë termiese geleidingsvermoë van die grafietsubstraat en TaC-laag verseker uitstekende hitte-oordrag en eenvormige temperatuur oor alle SiC-wafers. Hierdie eenvormigheid is van kritieke belang om 'n konsekwente epitaksiale laagdikte en morfologie te bereik.

● Beskerming teen ets en kontaminasie: Die chemies inerte TaC-laag verhoed effektief dat die grafietsubstraat met voorlopergasse reageer, wat ets kan veroorsaak en partikelkontaminasie kan genereer. Hierdie beskerming is die sleutel tot die handhawing van 'n skoon prosesomgewing en die versekering van hoë waferopbrengs.

● Verlengde Lewensduur: Die duursame TaC-laag verleng die lewensduur van die susceptor aansienlik deur die grafiet teen slytasie en chemiese agteruitgang te beskerm, wat die vervangingsfrekwensie verminder en bedryfskoste verlaag.

● Lugvlotterontwerp: Die unieke lugvlotterontwerp verminder fisiese kontak tussen die susceptor en die kamer, wat wrywing verminder en potensiële deeltjiegenerering voorkom wat die wafers kan besoedel. Hierdie ontwerp is hoekom dit ook bekend staan ​​as 'n TaC-bedekte lugvlotterbak.

Voordele van Semixlab

By Semixlab gaan ons verder as standaardprodukte om pasgemaakte oplossings te bied wat aan die spesifieke behoeftes van u epitakseproses voldoen.

●Pasmaak: Ons bied omvattende aanpassingsopsies, insluitend verskillende vorms, groottes en laagdiktes, om perfek by u reaktorspesifikasies en prosesvereistes te pas.

● Kundige Tegniese Konsultasie: Ons span ervare ingenieurs bied deeglike tegniese ondersteuning en konsultasie, wat jou help om jou proses te optimaliseer en ons produkte naatloos te integreer.

● Streng toetsing voor versending: Elke TaC-bedekte plaat ondergaan uiterste toestandstoetse voordat dit verskeep word. Ons verifieer die werkverrigting en integriteit daarvan onder hoë temperature en in chemies aggressiewe omgewings om te verseker dat dit aan u veeleisende operasionele behoeftes sal voldoen.